종목관리/하이닉스2010. 11. 29. 23:32

하이닉스는 역시 모든 기관과 외인의 예상치를 뒤업고 최대치라는 실적을 발표했습니다.

그동안 3분기 실적 악화라는 보고서로 그동안 상승분을 고스란히 반납시켰고, 2만원 초반에서 하락분의 50%까지 추세를 돌려 놓은 모습입니다.

2만4000원 안착을 못하고 다시금 추세전환의 기로에 와있는 시점입니다만, 가장 중요한 하락의 원인은 4분기 실적 악화라는 그리고 내년 상반기

턴어라운드라는 명목으로 기관과 외인의 수급 악화로 주가는 3거래일만에 상승분의 1/3을 반납한 시점입니다.

 

...

 

하이닉스, 반도체 약세불구 선방 2010/10/28 13:48:29 매일경제


하이닉스는 올 3분기에 연결회계 기준으로 매출 3조2500억원, 영업이익 1조112억원의 실적을 거뒀다고 28일 밝혔다. 지난 2분기에 이어 3분기에도 영업이익 1조원을 돌파했다. 역대 3분기 영업이익중 최고치다. 특히 3분기에 올린 31%의 영업이익률은 일반 제조업의 영업이익률이 10% 미만인 점을 고려하면 3배 이상이다. 순이익도 1조600억원으로 사상 최대를 기록했다. 지난해 3분기와 비교하면 매출은 53%, 영업이익은 383%, 순이익은 330%씩 늘었다.

하이닉스는 2분기 이후 D램과 낸드플래시 제품의 가격이 지속적으로 하락했지만 성공적인 미세공정 전환에 따른 원가경쟁력 확보와 차별화된 제품 포트폴리오를 구축해 실적 호조세를 이어갔다. 3분기 D램 평균가격은 전분기 대비 9%, 낸드플래시는 23%나 하락했지만 D램의 출하량을 2%, 낸드플래시 출하량을 42% 늘렸다.

특히 PC용 D램에 비해 가격변동이 적은 모바일.그래픽.서버용 D램 등 고부가가치 제품의 비중을 3분기 때 60% 수준까지 높인 것이 수익성 확보에 도움을 줬다.

하이닉스는 지난 2분기부터 양산에 들어간 40나노급 D램 제품의 비중을 3분기 때는 30%로 높였으며 올해말까지 50% 수준으로 끌어올린다는 계획이다. 또한 차세대 미세공정을 적용한 30나노급 제품의 개발도 올 연말까지 완료해 후발업체들과의 기술격차를 더욱 확대하기로 했다.

하이닉스는 글로벌 경기에 대한 불확실성이 해소되지 않고 있어 당분간 PC용 D램을 중심으로 한 수요는 전반적으로 위축될 것으로 보이지만 늘어나는 신흥시장의 수요가 이를 일부 상쇄할 것으로 전망했다.

권오철 하이닉스 사장은 "차별화된 고부가가치 제품으로 안정적인 수익기반을 더욱 확대하고 모바일 제품 등 차세대 제품 개발과 양산에도 더욱 박차를 가하겠다."고 말했다.

Posted by 까 치
종목관리/하이닉스2010. 11. 29. 23:32

하이닉스로고.jpg


아래 내용은 팍스넷 길과 얻음님의 글을 스크랩 한것입니다.

문제시 삭제 조치 하겠습니다.



지금까지 20나노급 낸드플래시는 트랜지스터(플로팅게이트) 간격이 좁아지면서 서로 간섭현상을 일으키는 문제

 

때문에 개발이 매우 어렵다는 게 일반적 관측이었으며 이 때문에 관련 업계에선 기존 플로팅게이트를 대체할 신물질을

 

개발하거나 3차원으로 트랜지스터 셀을 쌓아 올리는 방법 TLC(Triple level cell) 등으로 간섭현상을 없애려는 연구가

 

진행 되었습니다.

 

그러나 하이닉스는 이같은 신물질이나 3차원 셀 적층 기술 대신 자사 고유의 MSP(Memory Signal Processing : 하나

 

의 셀에 들어있는 여러개의 비트 정보를 물리적으로 분리시켜 셀 간섭현상을 없애주는 )기술을 개발하여 20나노급 공

 

정에 적용하였습니다.  

 

또한 미세회로 선폭은 기존 30나노급 낸드에서처럼 이머전 리소그라피 장비와 더블 패터닝 기술을 사용해 해결하였는

 

데 이머전 리소그라피 장비는 노광기 렌즈에 물을 채워 빛의 파장을 짧게 해줌으로써 미세회로도 설계를 가능케 해주

 

는 장비이며, 더블 패터닝은 미세 회로선폭 구현을 위해 두 번에 나눠 회로도를 찍어내는 것을 말합니다.

 

 

불과 몇 년 전만 해도 30나노급 D램과 20나노급 낸드플래시 개발은 상당히 어려울 것이라는 예측이 많았습니다.

 

이는 회로선폭이 30나노급 이하로 내려가 메모리 셀 집적 공간이 너무나도 줄어들고, 이로 인해 기존 메모리반도체를

 

구성하는 물질이 한계에 봉착해 제대로 성능을 내기 어렵다는 게 일반적 관측이었기 때문입니다.

 

또 30나노급 이하 회로선폭(회로선과 선의 간격)으로 반도체를 설계하기란 무척 까다로워 기존과는 전혀 다른

 

방식으로 회로도를 그려야하기 때문이었습니다.

 

 

손톱만한 크기의 메모리반도체에 30나노급 이하 선폭의 미세회로를 그려넣으려면 기존 반도체 노광기로는 불가능하며

 

삼성전자와 하이닉스 등 반도체 제조사들은 이같은 문제 해결을 위해 이머전 리소그라피(Immersion Lithography)라는

 

노광기와 회로도를 두 번에 나눠 겹쳐 그려넣는 더블패터닝(Double Patterning) 기술을 40나노급 D램에서부터 적용했

 

고, 이번 30나노급 D램과 20나노급 낸드플래시 개발에도 적용했습니다.

 

 

▶이머전 리소그라피 노광이란 = 이머전 리소그라피란 말은 원어 뜻대로 해석하면 `물에 담그는 석판 인쇄'라는 의미

 

입니다. 이머전 리소그라피를 설명하기 전에 우선 반도체 노광 공정(포토 리소그라피)에 대한 이해가 필요한데 반도체

 

웨이퍼 위에 회로도를 그려넣는 노광 방법은 아날로그 필름 카메라 방식과 유사합니다. 감광액을 바른 웨이퍼 위에

 

회로도 원판(석영 마스크)을 놓고 빛을 쪼이면 빛에 노출된 부분만 형상화하는 원리입니다.

 

반도체 회로선폭 미세공정이 과거 0.2∼0.3마이크론에서 2000년 들어 나노 공정으로 넘어오면서 노광 공정에서

 

빛(광원)의 파장이 매우 중요해졌습니다. 광원 파장이 길면 마스크를 통과한 회로도가 미세하게 웨이퍼에 나타나지

 

않겠죠. 미세공정이 진화하면 할수록 더욱 파장이 짧은 광원이 필요하게 된 것입니다.

 

초기 마이크론 공정의 노광기에는 수은램프를 광원으로 사용했지만, 0.13마이크론이나 90나노 공정까지는

 

수은광보다 파장이 더 짧은 불화크립톤(KrF)을 이용한 레이저 광원을 사용했습니다.

 

이후 90나노 이하에서 최근 개발한 20나노급까지는 파장이 더 짧은 불화아르곤(ArF)을 이용한 레이저 광원을 사용하고

 

있습니다. 그러나 40나노급 이하에선 불화아르곤 노광기만을 사용해선 미세한 회로 선폭을 구현할 수 없었습니다.

 

그래서 등장한 것이 웨이퍼와 마스크 사이에 위치하는 현미경(프로젝션 렌즈)에 물을 채워 빛의 굴절율을 높이는 방법

 

입니다. 굴절률이 높아지면 현미경의 포커스(초점) 심도(깊이)가 높아져 더 미세하게 회로를 그릴 수 있게 됩니다.

 

이것이 바로 이머전 리소그라피라는 것입니다.

 

 

더블패터닝과 EUV리소그라피란 = 반도체 20∼30나노급 미세공정은 이같은 이머전 리소그라피 노광방식만으로도

 

완벽하게 회로를 그려넣기 어렵다고 하며 그래서 고안해낸 것이 회로도를 두 번에 나눠 그려넣은 더블패터닝입니다.

 

예를 들어 첫 번째 회로는 선폭을 50나노급으로 해서 찍고, 두 번째는 첫 번째 회로 사이에 회로를 그려넣으면

 

최종 회로선폭은 25나노가 되는 식입니다.

 

반도체 전문가들은 20나노급까진 기존 이머전 리소그라피와 더블패터닝으로 가능하지만, 10나노급으로 내려가면

 

이머전 가지고도 회로선폭 구현이 어려울 것으로 예상하고 있습니다.

 

이에 따라 광원 파장이 불화아르곤보다 더 짧은 극자외선(EUV)광원을 활용하는 EUV리소그라피 장비가 필요합니다.

 

극자외선 광원은 진공 상태 공간에 원자를 플라즈마 상태로 만들어 양이온과 전자를 충돌시키면 얻을 수 있으며

 

2012년쯤 상용화될 것으로 예상됩니다.

 

현재까지 해당장비를 주문한 업체는 삼성전자와 하이닉스가 유일하며, 마이크론의 경우 주문게획을 취소한 것으로

 

알려지고 있습니다. 

Posted by 까 치
종목관리/하이닉스2010. 11. 29. 23:31

D램 가격 반토막…삼성 · 하이닉스도 일부 제품 적자전환

전자신문 | 2010.11.29 19:01

D램 가격이 폭락했다. 그동안 가격경쟁력을 바탕으로 D램부문에서 흑자를 기록해온 삼성전자·하이닉스마저도 일부 PC D램 제품에서 적자전환이 불가피할 전망이다.

29
일 업계와 시장조사기관인 D램익스체인지에 따르면 PC 주력 메모리 제품인 DDR3 1Gb 128Mx8 1333㎒의 11월 하반기 평균 고정거래가격은 보름 전에 비해 13.35% 급락한 1.22달러를 기록했다.

최고치였던 지난 5 2.72달러에 비해서는 반토막난 수치며 불과 한 달만에 20%포인트 떨어졌다. 영업이익을 낼 수 있는 총원가보다 더 낮은 가격으로 D램 가격이 형성된 것이다. 이에 따라 가격 경쟁력이 뛰어난 삼성전자·하이닉스도 일부 제품에서는 영업적자를 피할 수 없을 전망이다.

JP
모건은 삼성전자와 하이닉스의 40나노 공정을 적용한 D램 총원가(영업이익을 낼 수 있는 가격) 1.2달러 수준이어서 사실상 50나노 공정에서 생산한 PC D램 제품은 이미 영업 적자를 기록 중인 것으로 분석했다. 엘피다나 대만 업체들의 D램 총원가는 1.5달러에서 1.8달러 수준이어서 큰 폭의 적자가 예상된다.

하이닉스는 현재 D램 생산량의 60% 50나노 공정대에서 생산하고 있다. 삼성전자는 그 비중이 40~50% 수준으로 추정된다. 다만 삼성전자와 하이닉스는 PC D램 가격에 비해 가격이 상대적으로 높은 서버·그래픽·모바일 D램 등 이른바 스페셜티 D램 비중이 각각 60%, 50%에 이르는 만큼 전체적으로는 영업 흑자를 유지할 것으로 분석된다.

그러나 12월에도 이 같은 하락세를 이어갈 경우 D램 사업 흑자 기조도 흔들릴 가능성도 제기된다. 업계 한 관계자는 "PC 수요가 여전히 부진한데다가 4분기 들면서 후발기업들도 미세공정을 구축하고 물량을 쏟아내고 있어 공급 과잉으로 인한 가격 하락이 지속되고 있다" "지난 2008년에도 캐시 코스트(현금창출 원가) 이하로 가격이 떨어지기 전까지는 감산이 이루어지지 않았기 때문에 일부 업체가 공언했던 감산은 실제로 이루어지지 않을 것"이라고 말했다. 제조원가에서 고정비·감가상각비를 제외해 실제로 물건을 팔아 현금을 남기는 캐시 코스트는 삼성전자와 하이닉스가 대략 0.9달러 선으로 추정된다.

Posted by 까 치